Исследование электронной структуры пленок HfO2 методом фотолюминесценции
А.А. Расторгуев1, В.И. Белый2, Т.П. Смирнова3, Л.В. Яковкина4
1 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
2 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
4 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Ключевые слова: пленки диоксида гафния, фотолюминесценция, вода, гидроксил-радикал
Страницы: 27-36
Аннотация
Разработана методика с применением водородно-дейтериевой лампы в качестве источника возбуждения фотолюминесценции (ФЛ) для исследования пленок диоксида гафния. Проведено изучение ФЛ пленок HfO2. Анализ спектров ФЛ исследуемых пленок показал, что их характер соответствует спектрам ФЛ, приведенным в известных публикациях, где возбуждение ФЛ обеспечивали значительно более мощными источниками света: СИ-радиацией, либо ArF-лазером. Сопоставление полученных нами данных с литературными подтверждает вывод о слабой зависимости характера ФЛ пленок от типа исходного вещества, используемого при их синтезе. Интенсивность полос спектров ФЛ зависит от условий синтеза пленок и температуры их отжига. Анализ спектров ФЛ и спектров возбуждения позволил выявить полосу эмиссии при энергии E ~ 4 эВ с узким максимумом возбуждения при Eмакс = 4,25 эВ, которую мы приписали к резонансному электронно-колебательному переходу A2Σ+ ↔ X2Πi в возбужденном радикале OH. Обнаружение в спектрах ФЛ пленок HfO2 воды, которая, как один из продуктов термического разложения Hf(dpm)4 в процессе роста пленки, захватывается в виде примеси, позволяет по-новому поставить вопрос о влиянии этой примеси на величину токов утечки и важности контроля за ее содержанием в пленках.
|
