Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.145.103.169
    [SESS_TIME] => 1732196180
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => bf04a5b2fe31a8fbee623c86ecc291f9
    [UNIQUE_KEY] => 50404f4fa626cc261db020b11e467eec
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2008 год, номер 3

ПОСТОРОННЕЕ РАССЕЯНИЕ И ЕГО ВЫДЕЛЕНИЕ В МЕТОДЕ ГАЗОВОЙ ЭЛЕКТРОНОГРАФИИ

Ю.И. Тарасов1, И.В. Кочиков2, А.А. Иванов3, Д.М. Ковтун4, А.Н. Рыков5
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, химический факультет, tarasov@phys.chem.msu.ru
2 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, НИВЦ
3 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, химический факультет
4 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, химический факультет
5 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, химический факультет
Ключевые слова: газовая электронография, аддитивный и мультипликативный фон, постороннее рассеяние, секторная функция
Страницы: 427-432

Аннотация

В работе предложены алгоритмы разделения аддитивной и мультипликативной фоновых составляющих интенсивности рассеяния электронов. Предложенная методика позволяет добиться существенного повышения качества обработки экспериментальных данных по сравнению с традиционной, применяемой в российских исследовательских группах. Сравнение аддитивного фона с моделированным рассеянием на столбе остаточного газа показывает, что именно этот вид рассеяния может составлять основную часть постороннего вклада в зарегистрированную дифракционную картину.
Скачать pdf-версию статьи