АТОМНО-ЭМИССИОННЫЙ АНАЛИЗ ВЫСОКОЧИСТЫХ ОКСИДОВ С КОНЦЕНТРИРОВАНИЕМ ПРИМЕСЕЙ ОТГОНКОЙ основы пробы ПРИ ФТОРИРОВАНИИ В АВТОКЛАВЕ
И. И. Евдокимов1, М. М. Липатова2, В. Г. Пименов3
1 Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород
2 Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород
3 Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, pim@ihps.nnov.ru
Ключевые слова: атомно-эмиссионный анализ, концентрирование примесей, оксид германия(IV), оксид молибдена(VI), оксид теллура(IV), оксид вольфрама(VI)
Страницы: 193-197
Аннотация
разработана унифицированная методика химико-атомно-эмиссионного анализа высокочистых оксидов германия(IV), молибдена(VI), теллура(IV) и вольфрама(VI), основанная на предварительном концентрировании нелетучих примесей отгонкой после химических превращений матриц в летучие фториды парами дифторида ксенона в автоклаве. Концентрат примесей анализировали атомно-эмиссионным методом с дуговым и индукционным разрядами. предел обнаружения примесей в граммовой аналитической навеске составил 10-6-10-8 мас.%.
|
