ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА, ПОВЕРХНОСТЬ ФЕРМИ И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В НОВОМ СЛОИСТОМ ОКСИСЕЛЕНИДЕ HgCuSeO
В. В. Банников, И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский
Институт химии твердого тела УрО РАН ivanovskii@ihim.uran.ru
Ключевые слова: слоистый оксиселенид HgCuSeO, электронная структура, химическая связь, FLAPW-GGA, моделирование
Страницы: 647-651
Аннотация
Полнопотенциальным методом FLAPW-GGA впервые изучено электронное строение нового слоистого оксиселенида HgCuSeO с тетрагональной структурой. Получена и проанализирована зонная структура, плотность электронных состояний, поверхность Ферми, эффективные атомные заряды, выполнены оценки коэффициента низкотемпературной теплоемкости и парамагнитной восприимчивости Паули. Показано, что новая слоистая фаза HgCuSeO может быть охарактеризована как немагнитный ионный металл.
|