РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ ПЛЕНОК КАРБОНИТРИДА БОРА, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА ПОДЛОЖКАХ Cо/Si И CоOx/Si
Ю. В. Федосеева, М. Л. Косинова, С. А. Прохорова, И. С. Меренков, Л. Г. Булушева, А. В. Окотруб, Ф. А. Кузнецов
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
fedoseeva@niic.nsc.ru
Ключевые слова: карбонитрид бора, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, рентгеновская спектроскопия поглощения, электронное строение
Страницы: 701-709
Аннотация
Пленки карбонитрида бора синтезированы методом химического осаждения из газовой фазы смеси триэтиламинборана и аммиака на подслой металлического или окисленного кобальта на подложке Si(100). Методом растровой электронной микроскопии показано, что поверхность образца BCxNy/Co/Si имеет однородную мелкозернистую структуру; на поверхности образца BCxNy/CoOx/Si обнаружены нитевидные образования. Электронное строение пленок исследовано методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и рентгеновской спектроскопии поглощения. Анализ спектров показал, что синтезированные пленки BCxNy состоят из графитовых областей, областей гексагонального нитрида бора (h-BN), а также компонент сложного состава BCхNyOz, в которых присутствуют связи B-C, N-C, B-O, N-O и C-O. Осаждение пленки BCxNy на CoOx/Si привело к увеличению количества связей С-О, N-O, B-O и С-N и уменьшению графитовой и h-BN-составляющих, а также числа связей С-В. Из данных РФЭС оценен элементный состав поверхности образца BCxNy/CoOx/Si. Установлено, что пленка состоит из 66 ат.% графитовой компоненты, 3 ат.% h-BN и 31 ат.% составляют компоненты сложного состава С0,46B0,11N0,05O0,38.
|
