СТРУКТУРА ПЛЕНОК HfO2 и ДВОЙНЫХ ОКСИДОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
Т. П. Смирнова1, Л. В. Яковкина1, В. О. Борисов1, В. Н. Кичай1, В. В. Каичев2, В. В. Кривенцов2
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
yakov@niic.nsc.ru
Ключевые слова: диоксид гафния, бинарные растворы, ?high-k?-диэлектрики
Страницы: 718-724
Аннотация
Проведен анализ химического состава и структуры пленок HfO2 и двойных оксидов, формирующихся при их легировании алюминием и скандием. Показано, что легирование HfO2 алюминием приводит к аморфизации пленок: при концентрации Al больше 30 ат.% пленка становится аморфной. Легирование HfO2 скандием модифицирует моноклинную структуру и в области концентраций Sc от ~9 до ~14 ат.% Sc в неравновесных условиях CVD процесса при 600 °C формируется пленка твердого раствора орторомбической структуры.
|
