ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ ПЛАТИНОВОЙ ГРУППЫ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО MOCVD. I. ОСАЖДЕНИЕ Ir СЛОЕВ
Н. В. Гельфонд1, Н. Б. Морозова1, П. П. Семянников1, С. В. Трубин1, И. К. Игуменов1, А. К. Гутаковский2, А. В. Латышев2
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
gel@niic.nsc.ru
Ключевые слова: пленки иридия, метод импульсного MOCVD, летучие соединения иридия (I, III), высокотемпературная масс-спектрометрия
Страницы: 725-734
Аннотация
Методом импульсного MOCVD с in situ масс-спектрометрическим контролем процесса осаждения получены сверхтонкие слои Ir с толщиной от единиц до десятков нанометров. Выявлена роль реакционной среды, природы прекурсора и температуры осаждения в формировании нанокристаллической структуры пленок. Осаждение Ir из Ir(acac)3 в кислородной атмосфере приводит к получению плотных однородных структур, в то время как в вакууме или в атмосфере водорода осаждаются наноразмерные зернистые Ir слои; при использовании Ir(CO)2(acac) вне зависимости от реакционной среды получены Ir пленки с зернистой структурой.
|
