ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ ПЛАТИНОВОЙ ГРУППЫ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО MOCVD: II. ОСАЖДЕНИЕ Ru СЛОЕВ
Н. Б. Морозова1, Н. В. Гельфонд1, П. П. Семянников1, С. В. Трубин1, И. К. Игуменов1, А. К. Гутаковский2, А. В. Латышев2
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН 2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН mor@niic.nsc.ru
Ключевые слова: летучие комплексы рутения (II, III) c органическими лигандами, высокотемпературная масс-спектрометрия, процессы термораспада, метод импульсного MOCVD
Страницы: 735-743
Аннотация
Методом in situ высокотемпературной масс-спектрометрии исследованы процессы термораспада паров Ru(acac)3 и Ru(nbd)(allyl)2, предложены возможные схемы термических превращений на нагретой поверхности. Методом импульсного MOCVD с in situ масс-спектрометрическим контролем процессов осаждения получены ультратонкие слои Ru с толщиной несколько нанометров. Выявлена роль реакционной среды, природы прекурсора и температуры осаждения в формировании нанокристаллической структуры пленок. пленки Ru с компактной сплошной структурой формируются из Ru(acac)3 и водорода при температуре осаждения 340 °C и ниже, повышение температуры приводит к росту нанозернистых Ru слоев. Из Ru(nbd)(allyl)2 вне зависимости от условий осаждения формируются зернистые нанокристалические слои Ru.
|