МОДЕЛЬ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ СВОЙСТВ АЛКИЛСИЛАНОВ НА ОСНОВЕ АДДИТИВНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВКЛАДОВ
В.М. Смоляков, Д.Ю. Нилов
Тверской государственный университет smolyakov@inbox.ru
Ключевые слова: феноменологическая модель, аддитивные схемы, алкилсиланы, энтальпия образования, невалентные взаимодействия, многоугольные числа, треугольник Паскаля
Страницы: 1052-1058
Аннотация
На основе подобия подграфов в молекулярных графах гомологического ряда алкилсиланов SiH<sub>4</sub>—SiC<sub>8</sub>H<sub>20</sub> получена 22-константная аддитивная схема расчета их физико-химических свойств. На примере алкилсиланов SiH<sub>4</sub>—SiC<sub>8</sub>H<sub>20</sub> показано, что для каждой молекулы алкилсилана сумма чисел простых и сложных гетероцепей равна треугольному числу. Методом наименьших квадратов определены числовые значения параметров схемы для расчета Δ<sub><i>f</i></sub><i>H</i><sub>газ,298 K</sub><sup>0</sup> алкилсиланов (SiC<sub>n</sub>H<sub><i>2n+4</i></sub>).
|