ФОРМИРОВАНИЕ ТОЛСТЫХ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ МАСОК МЕТОДОМ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ
А.Н. Генцелев1, Ф.Н. Дульцев2,3, В.И. Кондратьев1, А.Г. Лемзяков1
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкеpа СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
ang1209@mail.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
fdultsev@isp.nsc.ru
3Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: глубокая контактная фотолитография, установка контактной фотолитографии, резист SU-8, LIGA-шаблон, микрорельеф штампа или литьевой формы, deep contact photolithography, contact photolithography setup, SU-8 resist, LIGA template, stamp or cast mould microrelief
Страницы: 20-29
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Аннотация
Описан способ формирования толстых (100 мкм и более) резистивных масок, которые могут быть использованы для решения широкого диапазона технологических задач, например для изготовления рентгенопоглощающего топологического рисунка LIGA-шаблонов, микрорельефов штампов, литьевых форм и т. п. Представлены особенности метода контактной фотолитографии, на основе которого разработана и изготовлена установка. Источником её экспонирующего излучения является светодиод. Экспериментально продемонстрирована возможность получения отдельно стоящих элементов резистивной маски (в частности, с латеральными размерами 5 мкм и высотой 70 мкм, аспектное отношение 14), а также микрорельефа (высотой 40 мкм) титанового штампа, выполненного путём реактивного ионно-лучевого травления через резистивную маску.
DOI: 10.15372/AUT20180202 |
