СПЕКТРОСКОПИЯ ОДИНОЧНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК AlInAs
И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, В.А. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
derebezov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, экситон, биэкситон, тонкая структура экситонных состояний, субпуассоновская статистика, излучатели одиночных фотонов, излучатели фотонных пар, запутанных по поляризации, semiconductor quantum dots, exciton, biexciton, thin structure of exciton states, sub-Poisson statistics, single photon emitters, polarization-entangled photon pair emitters
Страницы: 70-77
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
На основе твёрдых растворов AlxIn1–xAs/AlyGa1–yAs исследована система квантовых точек. Применение широкозонных твёрдых растворов AlxIn1–xAs в качестве основы квантовых точек позволяет существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Методом криогенной микрофотолюминесценции изучены оптические характеристики одиночных квантовых точек AlxIn1–xAs, выращенных по механизму Странского—Крастанова. С использованием интерферометра Хэнбери Брауна—Твисса изучена статистика излучения экситонных состояний одиночных квантовых точек. Функция парных фотонных корреляций отчётливо демонстрирует субпуассоновский характер статистики излучения, что является прямым подтверждением возможности создания излучателей одиночных фотонов на основе квантовых точек AlxIn1–xAs. На участке длин волн вблизи 770 нм исследована тонкая структура экситонных состояний квантовых точек. Показана величина расщепления экситонных состояний, сравнимых с естественной шириной экситонных линий, что представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе квантовых точек AlxIn1–xAs.
DOI: 10.15372/AUT20180208 |
