ОДНОРОДНЫЙ МАССИВ НАНОЯМОК НА ПОВЕРХНОСТИ СЛОЁВ InAlAs, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ InP (001)
Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.А. Пономарев, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия gulyaev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: морфология поверхности InAlAs, наноямки, платформа InP, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 49-55
Аннотация
В представленной работе исследована морфология поверхности слоёв InAlAs при отклонении от решёточно-согласованного состава с подложкой InP. Продемонстрирована возможность формирования массива однородных по размерам и форме наноямок на поверхности слоя InAlAs. Показана линейная зависимость между размерами ямок на поверхности слоя InAlAs и его толщиной.
DOI: 10.15372/AUT20240206 EDN: PDSDHR
|